2016³â Áß±¹ ¹ÝµµÃ¼ ¸ÅÃâ¾× 73Á¶¿ø...20% ±ÞÁõ
Áß±¹ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÌ ±Þ¼ºÀåÇÏ°í ÀÖ´Ù.
2016³â Áß±¹ ¹ÝµµÃ¼ ¸ÅÃâ¾×Àº Àü³â ´ëºñ 20% ´ëÆø ´Ã¾î³ 4300¾ï À§¾È(¾à 73Á¶7710¾ï¿ø)À» ³Ñ¾î¼³ Àü¸ÁÀ̶ó°í Áß±¹¹ÝµµÃ¼»ê¾÷Çùȸ°¡ 20ÀÏ ¹àÇû´Ù.
ÀÌ´Â ÀÛ³â 11¿ù ¼¼°è¹ÝµµÃ¼½ÃÀå Åë°è(WSTS)°¡ 2016³â ¼¼°è ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÀÌ 2015³âº¸´Ù 0.1% °¨¼ÒÇÑ´Ù°í ¿¹ÃøÇÑ °Í°ú´Â Å©°Ô ´ëºñµÈ´Ù.
¼¼°èÀûÀ¸·Î ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ºÎÁø¿¡´Â ¾Æ¶û°÷ÇÏÁö ¾Ê´Â Áß±¹ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÌ ¹ßÀüÀ» °ÅµìÇÏ´Â ÀÌÀ¯´Â ´Ù¸§ ¾Æ´Ï´Ù.
Áß±¹ Á¤ºÎ°¡ Áö¿øÃ¥À» °ÈÇÏ°í Á¤ºÎ ÅõÀÚ»ç¿Í ´ëÇü±â¾÷ÀÌ ¹ÝµµÃ¼ ÃËÁøÀ» À§ÇÑ Àü¿ëÆݵ带 ¼³Ä¡Çϴ°¡ Çϸé Æݵ尡 ¼³°è Á¦Á¶ ÀåÄ¡ Àç·á °èÃøÀÇ Àü ºÐ¹®¿¡ °É·Á À¯¸Á±â¾÷¿¡ ÅõÀÚÇÏ°í ÀÖ´Ù.
¶ÇÇÑ ÅõÀÚ¸¦ ¹ÞÀº ±â¾÷ÀÌ Æݵ忡 ÀÌÀÍÀ» ȯ¿øÇÏ°í ±â¾÷ÀÌ °æÀï·ÂÀ» °®Ã߸é ÅõÀÚ±ÝÀ» ȸ¼öÇØ ´ÙÀ½ ±â¾÷¿¡ ÅõÀÚÇϴ üÁ¦¸¦ ±¸ÃàÇÏ°í ÀÖ´Ù.
Áß±¹ Á¤ºÎ´Â 2014³â 6¿ù ¿À´Â 2030³â±îÁö ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ ·Îµå¸ÊÀ» Æ÷ÇÔÇÏ´Â '±¹°¡ÁýÀûÀü·Î»ê¾÷ ¹ßÀüÃßÁø °¿ä'¸¦ ¹ßÇ¥Çß´Ù.
±×ÇØ 9¿ù¿¡´Â '±¹°¡Áý¼ºÀü·Î»ê¾÷ ÅõÀÚ±â±Ý'À̶ó´Â ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷¿¡ ƯÈÇÑ Æݵ带 ¼³¸³Çß´Ù.
Æݵ忡´Â º£ÀÌ¡ ±â¼ú°³¹ß±¸¸¦ ¼¼¿î 'º£ÀÌ¡ ÀÌÁÇ(æ²íä) ±¹Á¦ÅõÀÚ'¿Í ±¹°¡°³¹ßÀºÇà ÀÚȸ»çÀÎ '±¹°³±ÝÀ¶(ÏÐËÒÐÝë×)', Áß±¹¿¬ÃÊ(æÕõ® ´ã¹è)ÃÑ°ø»ç, Áß±¹À̵¿ µî ±¹À¯ÅõÀÚ»ç¿Í ´ëÇü ±¹¿µ±â¾÷ 18°³»ç°¡ 1387¾ï2000¸¸ À§¾ÈÀ» ÃâÀÚÇß´Ù.
±¹°¡Áý¼ºÀü·Î»ê¾÷ ÅõÀÚ±â±ÝÀº ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ À¯¸Á±â¾÷°ú ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ ´ÜÁö¿¡ ÅõÀÚÇÑ´Ù. ÅõÀÚ ´ë»óÀº IC ¼³°è¿Í Á¦Á¶, ÆÐŰ¡ °Ë»ç, Àç·á¿Í °ø±Þ¸ÁÀ» ¸Á¶óÇÑ´Ù.
2017³â ½ÃÁ¡¿¡ ±â±ÝÀº 43°ÇÀÇ ÇÁ·ÎÁ§Æ®¿¡ ÅõÀÚÇßÀ¸¸ç ½ÂÀÎ ±Ý¾×ÀÌ 818¾ï À§¾È, ½ÇÁ¦ ÀԱݾ×ÀÌ 560¾ï À§¾È¿¡ ´ÞÇß´Ù.
¾Æ¿ï·¯ Áö¹æ Á¤ºÎµµ º°µµ·Î ÃÑ 2500¾ï À§¾ÈÀ» °¢ Áö¿ª ¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷¿¡ ÅõÀÚÇß´Ù.
ÀÌ·± ÅõÀÚ¸¦ ¹Þ¾Æ Áß±¹ ¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷ÀÌ ºñ¾àÀûÀ¸·Î ¼ºÀåÇß´Ù. °¡·É ÇÏÀ̾²(úÞÖ) ¹ÝµµÃ¼(Hisilicon)°¡ Ä¡¸°(ÑË×ø) 950, 955, 960ÀÇ 3Á¾ 16nm ·ê FinFET ±â¼úÀ» »ç¿ëÇÑ SoC ĨÀ» ¼³°èÇß´Ù.
¶ÇÇÑ Á߽ű¹Á¦(ñéä¥ÏÐð· SMIC)°¡ 28nm ³ëµå ´ëÀÀ Æú¸® ½Ç¸®ÄÜ °ÔÀÌÆ®(Poly/SiON, HLP) ÇÁ·Î¼¼½º¸¦ ä¿ëÇÑ ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ ¾ç»êÇϴµ¥ ¼º°øÇß´Ù. 28nm Á¦Á¶ ÇÁ·Î¼¼½º °íÀ¯ÀüÀ²¸· ±Ý¼Ó °ÔÀÌÆ®(HKMG£ºHigh-k/Metal gate) ±â¼úµµ ¾ç»ê¿¡ »ç¿ëÇß´Ù.
À̹ۿ¡ ÀܽÅÅë½Å(î÷ãò÷×ãá SPREADTRUM)ÀÌ 8ÄÚ¾î 64ºñÆ® LTE SoC ¼³°è¸¦ ÀÌ¿ëÇØ ¼¼°è 10À§ Åë½ÅĨ ¼³°èȸ»ç·Î ¼ºÀåÇß´Ù.
À徥âµ´(Ë°áÌíþï³) °ú±â´Â ¼¼°è 4À§ ÆÐŰ¡ Á¶¸³¾÷ü·Î ÄÇ´Ù.
|